Испытание и исследование полупроводниковых приборов » Мир Книг - Библиотека электронных книг
03  авг
Испытание и исследование полупроводниковых приборов
 (голосов: 0)
Добавил Gunpowder в категорию Наука и техника

Испытание и исследование полупроводниковых приборов

Испытание и исследование полупроводниковых приборов - В книге изложены основные принципы и методы измерения полупроводниковых приборов, дана оценка погрешностей измерения параметров. Описаны методы измерения статических параметров, параметров двухполюсника и четырехполюсника с помощью малого сигнала, импульсных параметров, шумовых и тепловых параметров, параметров высокочастотных полупроводниковых приборов и др. Приведены особенности конструирования измерительного и испытательного оборудования.

Название: Испытание и исследование полупроводниковых приборов
Автор: Аронов В. Л., Федотов Я. А.
Издательство: Высшая школа
Год: 1975
Страниц: 325
Формат: PDF
Размер: 52,2 МБ
Качество: Отличное
Язык: Русский


Содержание:

Предисловие
Введение
Глава I Основные принципы и методы измерения электрических параметров полупроводниковых приборов
§ 1.1 Метод замещения
§ 1.2. Генератор тока я генератор напряжения в технике измерения полупроводниковых приборов
§ 1.3. Мостовые методы
§ 1.4. Методы измерения параметров, представляющих собой отрезки времени
§ 1.5. Методы, основанные на преобразования результатов измерения в цифровой код
Глава II. Оценки погрешности измерения параметров полупроводниковых приборов
§ 2.1. Классификация погрешностей измерения
§ 2.2. Количественное представление погрешности измерения
§ 2.3. Суммирование частных погрешностей измерения
§ 2.4. Пример оценки погрешности измерительной установки
Глаза III. Измерение статических параметров полупроводниковых приборов
§ 3.1. Статические характеристики
§ 3.2. Статические параметры диодов и транзисторов
§ 3.3. Измерения статических параметров диодов и транзисторов
§ 3 4. Измерение малых обратных токов
§ 3.5. Измерения статических характеристик полупроводниковых приборов с отрицательным сопротивлением и с «разрывными» характеристиками
Глава IV. Измерение параметров эквивалентных двухполюсника в четырехполюсника с помощью малого сигнала
§ 4.1. Малосигнальные параметры полупроводниковых приборов на низких частотах
§ 4.2. Методы измерения параметров на низких частотах
§ 4.3. Измерение малосигнальных параметров полупроводниковых приборов на высоких частотах
§ 4.4. Измерение параметров на сверхвысоких частотах
Глава V. Измерение параметров эквивалентных схем полупроводниковых приборов
§ 5.1. Измерение емкостей полупроводниковых приборов
§ 5.2. Измерение последовательных сопротивлений диодов
§ 5.3. Параметры эквивалентной схемы биполярного транзистора
§ 5.4. Измерение граничной частоты транзисторов
§ 5.5. Измерение базового сопротивления транзисторов
§ 5.6. Измерение индуктивностей выводов полупроводниковых приборов
§ 5.7. Измерение параметров эквивалентных схем полевых транзисторов
§ 5.8. Измерение параметров эквивалентной схемы туннельных диодов
Глава VI. Измерение импульсных параметров полупроводниковых приборов
§ 6.1. Импульсные параметры полупроводниковых диодов
§ 6.2. Методы измерения импульсных параметров полупроводниковых диодов
§ 6.3. Импульсные параметры транзисторов
§ 6.4. Методы измерения импульсных параметров транзисторов
§ 6.5. Измерение импульсных параметров триодных тиристоров
Глава VII. Исследования и измерение шумовых параметров полупроводниковых приборов
§ 7.1. Шумовые параметры двухполюсника и четырехполюсника
§ 7.2. Измерение шумовой температуры двухполюсника
§ 7.3. Измерение шумовых параметров четырехполюсников на низкой частоте
§ 7.4. Измерение коэффициента шума транзисторов на высоких и сверхвысоких частотах
Глава VIII. Исследования и контроль тепловых характеристик полупроводниковых приборов
§ 8.1. Методы измерения электрических параметров в диапазоне температур
§ 8.2. Методы исследования температуры в активной области прибора
§ 8.3. Измерение теплового сопротивления
§ 8.4. Испытания на устойчивость полупроводниковых приборов к температурным воздействиям
Глава IX. Измерение параметров генераторных высокочастотных полупроводниковых приборов
§ 9.1. Измерение отдаваемой мощности полупроводниковых приборов, работающих в схеме автогенератора
§ 9.2. Измерение отдаваемой мощности, коэффициента усиления и к. п. д. полупроводниковых приборов, работающих в схеме генератора с независимым возбуждением
§ 9.3 Измерение параметров структуры и эквивалентной схемы
Глава X. Испытания полупроводниковых приборов на надежность
§ 10.1. Виды испытаний на надежность
§ 10.2. Основные понятия надежности
§ 10.3 Распределение отказов во времени. Количественные показатели надежности
§ 10.4. Обработка результатов испытаний. Понятие о доверительной интервале
§ 10.5. Оценка качества продукции на соответствие нормам технических условий. Определение объема выборки
§ 10.6. Классификация отказов. Роль критериев годности в оценке результатов
§ 10.7. Цели и задачи испытаний
Глава XI. Особенности конструирования измерительного и испытательного оборудования для полупроводниковых приборов
§ 11.1. Контактодержатель для подключения полупроводниковых приборов к измерительной схеме
§ 11.2. Защита полупроводниковых приборов от случайных перегрузок
§ 11.3. Методы подавления паразитной генерации испытуемого прибора в схеме измерения
§ 11.4. Основные принципы компоновки измерительных установок
Литература

Загрузить Испытание и исследование полупроводниковых приборов


Купить эту книгу в бумажном исполнении с доставкой



Комментарии (0) Просмотры: 172

Расскажи о книге друзьям :




Информация

Посетители, находящиеся в группе Гости, не могут оставлять комментарии к данной публикации.